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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

C4D02120A 

产品描述

Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2A

内部编号

84-C4D02120A

生产厂商

Cree, Inc.

#1

数量:985
最小起订量:1
香港
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#2

数量:250
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:985
最小起订量:1
香港
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全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

C4D02120A产品详细规格

规格书 C4D02120A datasheet 规格书
C4D02120A
C4D02120A datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
二极管型 Silicon Carbide Schottky
电压 - 直流反向(VR)(最大值) 1200V (1.2kV)
电流 - 平均整流(Io) 5.9A
电压 - 正向(Vf)(最大)@ 1.8V @ 2A
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间(trr) 0ns
电流 - 反向漏VR 50µA @ 1200V
电容@ Vr,F 167pF @ 0V, 1MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-2
供应商器件封装 TO-220-2
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-220
标准包装名称 TO-220
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
包装宽度 4.7(Max)
最大连续正向电流 5.9
包装高度 9.14(Max)
安装 Through Hole
工作结温度 -55 to 175
峰值反向重复电压 1200
峰值反向电流 50
峰值不重复浪涌电流 19
标签 Tab
峰值正向电压 1.8@2A
PCB 2
包装长度 10.41(Max)
最低工作温度 -55
配置 Single
类型 Schottky Diode
引脚数 2
最大功率耗散 40500
封装 Tube
电流 - Vr时反向漏电 50µA @ 1200V
安装类型 Through Hole
电压 - 正向(Vf) (最大) 1.8V @ 2A
电压 - ( Vr)(最大) 1200V (1.2kV)
热阻 3.7°C/W Jc
电容@ Vr ,F 167pF @ 0V, 1MHz
供应商设备封装 TO-220-2
反向恢复时间(trr ) 0ns
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
标准包装 50
电流 - 平均整流(Io ) 5.9A
封装/外壳 TO-220-2
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型 Silicon Carbide Schottky
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
最大二极管电容 167 pF
正向电压下降 1.8 V
产品 Schottky Silicon Carbide Diodes
最大功率耗散 40.5 W
正向连续电流 2 A
最大反向漏泄电流 50 uA
峰值反向电压 1.2 kV
安装风格 Through Hole
最大浪涌电流 19 A
封装/外壳 TO-220-2
RoHS RoHS Compliant
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 TO-220
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
整流器类型 Schottky Diode
高峰代表冯电压 1200
冯页次 50
峰值不重复浪涌电流 19 A
正向电压 1.8 V
删除 Compliant
二极管配置 :Single
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max :1.2kV
Forward Current If(AV) :5.9A
Forward Voltage VF Max :1.8V
Forward Surge Current Ifsm Max :19A
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Diode Case Style :TO-220
No. of Pins :2
MSL :-
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85411000
associated 274-1AB
CW7250
504222B00000G
274-2AB
657-10ABP

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