规格书 |
C4D02120A |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
二极管型 | Silicon Carbide Schottky |
电压 - 直流反向(VR)(最大值) | 1200V (1.2kV) |
电流 - 平均整流(Io) | 5.9A |
电压 - 正向(Vf)(最大)@ | 1.8V @ 2A |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
反向恢复时间(trr) | 0ns |
电流 - 反向漏VR | 50µA @ 1200V |
电容@ Vr,F | 167pF @ 0V, 1MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-2 |
供应商器件封装 | TO-220-2 |
包装材料 | Tube |
供应商封装形式 | TO-220 |
标准包装名称 | TO-220 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
包装宽度 | 4.7(Max) |
最大连续正向电流 | 5.9 |
包装高度 | 9.14(Max) |
安装 | Through Hole |
工作结温度 | -55 to 175 |
峰值反向重复电压 | 1200 |
峰值反向电流 | 50 |
峰值不重复浪涌电流 | 19 |
标签 | Tab |
峰值正向电压 | 1.8@2A |
PCB | 2 |
包装长度 | 10.41(Max) |
最低工作温度 | -55 |
配置 | Single |
类型 | Schottky Diode |
引脚数 | 2 |
最大功率耗散 | 40500 |
封装 | Tube |
电流 - Vr时反向漏电 | 50µA @ 1200V |
安装类型 | Through Hole |
电压 - 正向(Vf) (最大) | 1.8V @ 2A |
电压 - ( Vr)(最大) | 1200V (1.2kV) |
热阻 | 3.7°C/W Jc |
电容@ Vr ,F | 167pF @ 0V, 1MHz |
供应商设备封装 | TO-220-2 |
反向恢复时间(trr ) | 0ns |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
标准包装 | 50 |
电流 - 平均整流(Io ) | 5.9A |
封装/外壳 | TO-220-2 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
最大二极管电容 | 167 pF |
正向电压下降 | 1.8 V |
产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
最大功率耗散 | 40.5 W |
正向连续电流 | 2 A |
最大反向漏泄电流 | 50 uA |
峰值反向电压 | 1.2 kV |
安装风格 | Through Hole |
最大浪涌电流 | 19 A |
封装/外壳 | TO-220-2 |
RoHS | RoHS Compliant |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | TO-220 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
整流器类型 | Schottky Diode |
高峰代表冯电压 | 1200 |
冯页次 | 50 |
峰值不重复浪涌电流 | 19 A |
正向电压 | 1.8 V |
删除 | Compliant |
二极管配置 | :Single |
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max | :1.2kV |
Forward Current If(AV) | :5.9A |
Forward Voltage VF Max | :1.8V |
Forward Surge Current Ifsm Max | :19A |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :175°C |
Diode Case Style | :TO-220 |
No. of Pins | :2 |
MSL | :- |
Weight (kg) | 0.002 |
Tariff No. | 85411000 |
associated | 274-1AB CW7250 504222B00000G 274-2AB 657-10ABP |
C4D02120A也可以通过以下分类找到
C4D02120A相关搜索